材料：

Si基板

寸法：

630µm厚

加工：

スクライブ（溝加工）

形状：

□500µmエリア 　/　深さ　300µm 　/　隔壁間隔　100µm

速度：

<29秒/穴

周囲に熱影響が無く、断面状態、エッジ状態ともに良好で、均一な深さに指定形状を掘ることができます。
表面から少しずつ削り取るように、深さを確保して行きますので、深さ精度もサブミクロンでコントロールできます。
対象材料によっては、1µm以下の分解能でアブレーションを行うことも可能です。